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N沟道结型场效应管(如2N60)
- 栅极(G):通常位于中间,用于控制漏极电流。
- 源极(S):一般接电源负极或低电位点。
- 漏极(D):接电源正极或高电位点,负载通常接在漏极与正极之间。
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P沟道结型场效应管
- 栅极(G):同样位于中间,控制漏极电流。
- 源极(S):接电源正极或高电位点。
- 漏极(D):接电源负极或低电位点,负载接在漏极与负极之间。
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N沟道增强型MOSFET(以IRLZ44N为例)
- 栅极(G):位于中间,用于控制漏极电流。
- 源极(S):连接到电路中的低电位点,通常是电源的负极或地。
- 漏极(D):连接到高电位点,通常是电源的正极或负载的一端。
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P沟道增强型MOSFET
- 栅极(G):位于中间。
- 源极(S):连接到电路中的高电位点,通常是电源的正极。
- 漏极(D):连接到低电位点,通常是电源的负极或负载的一端。
场效应管的三只脚接线图取决于其类型和具体应用场景,在进行接线时,务必参考具体型号的数据手册或咨询专业人士以确保正确连接。
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